美光在美建2座晶圓廠 加速HBM升級聚焦AI市場

美光會新建兩座大批量晶圓廠,首廠2027年投產DRAM,聚焦AI市場;第二廠計畫先於紐約廠投產,與當地研發中心協同提升HBM等尖端技術量產效率。紐約州新建四座晶圓廠,目前處於環境審查階段,預計2024年底啟動地面工作。

佛吉尼亞州對現有晶圓廠進行現代化改造,引入1-alpha DRAM制程,服務汽車與工業領域,已獲2.75億美元《晶片法案》補貼支持。HBM封裝本土化在愛達荷州第二廠投產後,將把先進HBM封裝技術引入美國,實現端到端生產。

愛達荷州兩座晶圓廠(新建)首廠2027年DRAM、HBM封裝64億美元
紐約州四座晶圓廠(新建)待定(2028+)大容量DRAM納入64億撥款

美光資金分配​​

1500億美元投向製造產能(晶圓廠建設+設備);500億美元用於研發(含HBM4、下一代存儲架構);額外300億美元用於愛達荷州二廠、佛吉尼亞廠升級及HBM封裝線。
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已向客戶送樣12層堆疊36GB HBM4,傳輸速率超2.0TB/s,性能較前代提升60%,直接對標英偉達、AMD的AI晶片需求。本土化封裝能力將解決AI晶片供應鏈瓶頸,減少對東亞封測廠的依賴。暫時美光的HBM4技術領先性,三星的HBM3E還未通過英偉達驗證。

DRAM產能目標​​
通過六大晶圓廠集群,實現美國本土生產全球40%的DRAM,打破當前東亞(韓、臺)主導的產能格局。

政策紅利與產業鏈協同
已獲64億美元《晶片法案》直接撥款(愛達荷州、紐約州晶圓廠);佛吉尼亞廠獲2.75億美元補貼;所有投資均符合先進製造業投資抵免(AID)稅收優惠資格。

特朗普政府推動製造業回流,商務部長盧特尼克強調投資將確保美國在AI、汽車、國防的領先地位。亞馬遜AWS、英偉達等巨頭公開支持,凸顯美光在AI算力鏈中的核心地位。

市場影響與投資價值​
2027年DRAM投產正逢全球AI算力需求爆發期,瑞穗預測2027年HBM市場年增55%,美光份額提升將驅動其HBM收入增速達90%。創造9萬個就業崗位(直接+間接),強化本土半導體生態。

大行睇好​​
瑞穗(124→130美元)、瑞銀(92→120美元),看好HBM業務占比升至DRAM收入的45%。

 

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