華為+中科院將公佈3D DRAM技術

據外媒報導,華為公司將於積體電路領域頂級會議發表其與中科院微電子研究所合作開發的3D DRAM技術,進行各種有關記憶體的演示。

這會議「VLSI Symposium 2022」將以演講的形式介紹論文,是超大規模積體電路技術與電路研討會。

據悉,華為與中科院微電子研究所合作開發了基於銦鎵鋅氧IGZO材料,採用垂直環形溝道器件結構電晶體(IGZO-FET)的3D DRAM技術,據稱,其在溫度穩定性和可靠性方面表現出色。

同樣在VLSI Symposium2022上,與存儲相關的論文還包括,BM的具有雙自旋力矩磁結的MRAM,斯坦福大學的基於GST(Ge 2 Sb 2 Te 5)的超晶格相變記憶體,三星電子的16GB 1024GB/s HBM3 DRAM,英特爾的採用4nm CMOS的高效寬頻6T SRAM設計。

 

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