Benny 
英特爾在2023年IEEE國際電子器件會議（IEDM 2023）上展示了一項關鍵技術，利用背面電源觸點將電晶體縮小到1納米及以上的範圍。英特爾表示他們計畫在2030年前實現單個封裝內集成1萬億個電晶體的目標。英特爾表示他們將繼續推進摩爾定律的研究進展，包括背面供電和直接背面觸點（direct backside contacts）的3D堆疊CMOS電晶體，背面供電研發突破的擴展路徑（如背面觸點），並在同一塊300毫米晶圓上（而非封裝）實現矽電晶體與氮化鎵（GaN）電晶體的大規模單片3D集成。
這一展示突顯了英特爾在微電子領域的關鍵突破和技術進步。通過利用背面電源觸點和3D堆疊技術，英特爾成功實現了電晶體尺寸的極小化，為下一代晶片的發展打下了堅實基礎。集成更多晶體管意味著更高的計算能力和更強大的處理性能，對於未來的計算和科技應用具有重要意義。
英特爾的研究和創新將繼續推動摩爾定律的發展，並為電子器件的未來提供了更多可能性。通過在同一晶圓上實現矽電晶體和氮化鎵電晶體的集成，可以實現更高效的能源利用和更快速的數據傳輸，為下一代電子設備的發展帶來巨大潛力。這一技術突破有望推動整個電子行業的發展，促進科技的創新和進步。
