Benny 
10月12日有媒體稱，中芯國際 FinFET N+1先進工藝的晶片流片和測試，所有IP全自主國產，功能一次測試通過。受惠N+1技術突破消息，中芯國際股價全日大升11.5%，收報20.6元，成交額29.9億元。在今年9月下旬，中芯國際再度對外回應稱，第二代FinFETN＋1工藝已經進入客戶導入階段，有望於2020年底小批量試產。
根據中芯國際聯席CEO梁孟松博早前公佈的資訊顯示，N＋1（相當於8nm）工藝和現有的14nm工藝相比，性能提升了20%，功耗降低了57%，邏輯面積縮小了63%，SoC面積減少了55%。從邏輯面積縮小的數據來看，與7nm工藝相近。相比臺積電7nm性能提升了35%，性能上還是有一點差距的。
什麼是FinFET
FinFET稱為鰭式場效應電晶體（Fin Field-Effect Transistor），是由美籍華人科學家胡正明教授提出的，其中的Fin在構造上與魚鰭非常相似，所以稱為「鰭式」，而FET的全名是「場效電晶體」 。FinFET是一種新的互補式金屬氧半導體（CMOS）電晶體，源自於傳統標準的電晶體—「場效電晶體」的一項創新設計。
最早使用FinFET工藝的是英特爾，他們在22納米的第三代酷睿處理器上使用FinFET工藝，隨後各大半導體廠商也開始轉進到FinFET工藝之中，其中包括了臺積電16nm、10nm、三星14nm、10nm以及格羅方德的14nm。
什麼是N+1
2019年第四季度，中芯國際實現了14nm制程工藝的量產，該工藝可以滿足國內95%的晶片生產。
其中的多重曝光是目前主流的FinFET製造工藝。它的原理就是先pattern一批80nm精度的圖樣，然後再交錯多重曝光一批80nm精度的圖樣；在兩次光刻之後，就可以將精度提升到40nm。
中芯N+1接近7nm制程工藝，相比目前市場上的7nm性能能要低10%。現在的方式就是使用DUV多重曝光來解決，通常生產7nm工藝晶片至少得曝光4次，相比EUV光刻機只要一次即可，這種生產方式顯然效率較低，成本也更高，包括晶片的良品率也會大幅降低。
沒有EUV光刻設備，如何突破7nm工藝的呢？
中芯國際早在2018年就成功預定了一臺荷蘭ASML的7nm EUV光刻機，本打算借助EUV光刻機，攻破7nm工藝，但是因為“失火”延期交貨，後來因為美國方面的阻撓，導致許可證到期，中芯國際至今未收到EUV光刻機。
中芯國際採用跟臺積電一樣的發展史，第一代低功耗的N7, 第二高性能的N7P﹐第三代EUV工藝的N7+。
臺積電前2代也是用荷蘭ASML深紫外光微影系統(DUV)，到了N7+工藝才需要使用了極紫外光微影系統(EUV)光刻機。所以中芯國際最多能發展到N+1、N+2工藝﹐到了第三代N7+就一定要用到EUV，暫時中芯不能生產，除非能買到ASML 最新EUV。
中芯N+1流片成功，令其先進制程工藝已經追過格羅方德(GlobalFoundries)，只是比臺積電和三星差，進入世界最先進制程行例。
高盛最新報告指，受累於美國對華為和中芯國際限制生效，料中芯國際從本季度開始華為訂單收入將歸零。中芯挑戰才剛開始，小編只能引用華為的話鼓勵鼓勵，【沒有傷痕累累，哪來皮糙肉厚，英雄自古多磨難】。